سامسونگ با انویدیا و کوالکام برای تولید تراشه سه نانومتری به توافق رسید

سامسونگ تراشه های 3 نانومتری را برای Nvidia، Qualcomm، IBM، Baidu می سازد . در میان رقابت شدید صنعت، سامسونگ قصد دارد در فناوری 3 نانومتری از TSMC پیشی بگیرد

براساس گزارش Korea Economic Daily، سامسونگ الکترونیکس قصد دارد با بهره‌گیری از لیتوگرافی پیشرفته‌ی سه نانومتری، برای شرکت‌هایی نظیر انویدیا، کوالکام، بایدو و IBM تراشه تولید کند.

شرکت سامسونگ الکترونیک، بزرگترین سازنده تراشه های حافظه در جهان، نیمه هادی هایی با پیشرفته ترین گره فرآیند 3 نانومتری صنعت برای مشتریان خود از جمله Nvidia، Qualcomm Technologies، IBM و Baidu چین خواهد ساخت.

افراد مطلع اطلاع رسانی کردند که غول فناوری کره جنوبی به طور مشترک در حال توسعه تراشه های پیشرفته با پنج تا شش مشتری قابل برای عرضه در مقادیر زیاد از اوایل سال 2024 است.

به گفته منابع آگاه، سامسونگ از فناوری 3 نانومتری خود برای تولید واحدهای پردازش گرافیکی (GPU) برای انویدیا، واحدهای پردازش مرکزی (CPU) برای IBM، پردازنده‌های اپلیکیشن گوشی‌های هوشمند برای کوالکام و تراشه‌های هوش مصنوعی مورد استفاده در مراکز داده ابری برای Baidu استفاده خواهد کرد.

به گفته منابع، این مشتریان سامسونگ را به عنوان تولیدکننده محموله با توجه به فناوری فرآیند 3 نانومتری سازنده تراشه کره ای و همچنین نیاز آنها به تامین امنیت چندین تامین کننده انتخاب کرده اند.

ناظران بازار می‌گویند سامسونگ امیدوار است ازطریق لیتوگرافی سه نانومتری اختصاصی، بزرگ‌ترین رقیب خود یعنی TSMC را در حوزه‌ی تولید قراردادی تراشه پشت سر بگذارد. سامسونگ برترین شرکت دنیا در تولید تراشه‌ی حافظه است، اما در حوز‌ه‌ی تولید قراردادی با فاصله‌ی زیاد در پشت TSMC قرار می‌گیرد. TSMC که مشتریان بزرگی مثل اپل دارد، بیشتر از نیمی از کل بازار تراشه را کنترل می‌کند.

دو بزرگ‌ترین تولیدکننده تراشه‌های ریخته‌گری جهان، TSMC و سامسونگ، برای تولید تراشه‌هایی با تراکم ترانزیستور، سرعت داده‌های سریع‌تر و کاهش مصرف انرژی، در رقابتی داغ برای گره فرآیند 3 نانومتری، که در حال حاضر، باریک‌ترین مدار صنعت است، بوده‌اند.

در ماه ژوئن، سامسونگ اعلام کرد که تولید انبوه تراشه‌های پیشرفته بر اساس کوچک‌ترین گره فرآیندی صنعت را به عنوان اولین شرکت جهانی برای کاهش فاصله خود با TSMC آغاز کرده است.

به گفته سامسونگ، فناوری 3 نانومتری آن در مقایسه با فناوری قبلی 5 نانومتری، راندمان انرژی و عملکرد تراشه را به ترتیب 45 و 23 درصد بهبود می بخشد.

سامسونگ برای بهبود بازده 3 نانومتری که به سختی به 20 درصد می‌رسد، با شرکت آمریکایی Silicon Frontline Technology که متخصص در روش‌های پیشگیری از تخلیه الکترواستاتیک است، شروع به همکاری کرد. سامسونگ همچنین در حال توسعه نسل دوم گره 3 نانومتری است، اما مشخص نیست که Nvidia، IBM و Qualcomm از کدام پله استفاده خواهند کرد.

سامسونگ در حال انجام سرمایه گذاری های قابل توجهی است تا بتواند از TSMC پیشی بگیرد و در نهایت تا سال 2030 به بزرگترین کارخانه ریخته گری جهان تبدیل شود. بخش مهمی از این طرح در حال حاضر به اجرا گذاشته شده است زیرا این غول کره جنوبی موفق شده تولید گره های 3 نانومتری خود را مدتی قبل راه اندازی کند.